HGST giới thiệu nguyên mẫu ổ ứng dùng bộ nhớ PCM có tốc độ nhanh hơn nhiều lần so với NAND Flash

Bộ nhớ đổi pha (Phase-change Memory – PCM) là công nghệ bộ nhớ hứa hẹn sẽ đặt ra một tiêu chuẩn mới và thay thế cho bộ nhớ NAND Flash hiện đang được dùng phổ biến trên các thiết bị điện tử. Vậy PCM hơn gì so với bộ nhớ NAND Flash? Tại hội nghị Flash Memory Summit sắp diễn ra, HGST – một công ty con của Western Digital sẽ trình diễn và so sánh hiệu năng giữa PCM và NAND. Theo đó, công ty sẽ giới thiệu một nguyên mẫu ổ SSD dùng bộ nhớ PCM cho tốc độ đọc ghi ngẫu nhiên lên đến 3 triệu IOPS với mỗi 512 byte dữ liệu và độ trễ truy xuất đọc ngẫu nhiên chỉ 1,5 micro giây.

Độ trễ truy xuất (đọc) ngẫu nhiên của một ổ cứng NAND thông thường vào khoảng 100 micro giây. Theo HGST, hiệu năng của ổ NAND thường bị giới hạn ở điều kiện hoạt động thực tế với tốc độ chỉ đạt khoảng 13.000 IOPS thay vì trên 90.000…
========
DACO – Nhà Phân phối Cung Cấp Máy in Ống lồng Đầu Cốt L-Mark, Max tại Việt nam

Trụ sở: Số 146 – Tân Triều – Thanh Trì – Hà Nội
VPGD: Liền kề 9 – Vị trí 19 – Khu đô thị Xala – Hà đông – Hà Nội

Email: tainguyen@dacovn.com
Handphone: 0934 540 966
Website: www.dacovn.com

Hotemail: thuypham@dacovn.com
Hotline: 0904 18 22 35 / 0962 28 08 80